采用低溫水熱法在藍寶石/p-GaN薄膜模板上生長了ZnO、ga摻雜ZnO (GZO)、in摻雜ZnO (IZO)和Ga-In共摻雜ZnO (GIZO)納米線陣列，制備了自供電的p-GaN/n-ZnO異質結紫外探測器。

作者調查了Ga的影響或單摻雜和Ga-In提出微觀結構特性和光學特性的熱液地合成氧化鋅納米線和光敏特性進行了比較研究和光電的響應性能的四種pn異質結紫外探測器。

x射線衍射(XRD)測試表明，合成的zno基納米線陣列具有單相六方纖鋅礦結構，并沿(002)面有擇優取向。掃描電子顯微鏡(SEM)觀察表明，摻雜劑的種類對納米線的形貌和平均直徑有一定的影響。zno基納米線的平均直徑為61 ~ 101 nm。室溫光致發光(PL)光譜表明，合成的zno納米線具有較高的結晶質量。

基于p-GaN薄膜/n-ZnO納米線陣列的異質結光電探測器的電流-電壓(I-V)曲線在黑暗和紫外光照下均具有整流特性。在紫外照射下，GIZO器件在5 V偏壓下具有**的光敏特性。

在5 V偏壓下，光暗電流比接近6.0，開關電壓低于1.8 V。與單摻雜和未摻雜ZnO器件相比，p-GaN/n-GIZO異質結紫外探測器在零偏置電壓下實現了**的光響應性能。

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