采用密度泛函理論(DFT)模擬了Co2+摻雜對ZnO晶體平面特征吸附物種和光電性質的影響。由于費米能級密度與電導率之間的線性關系，電導率由費米能級密度反應而來。

模擬數據顯示摻雜Co2+前后晶面的特征吸附形態發生了變化:ZnO(002)平面摻雜Co2+后，特征化學吸附物種(CCS) O2分子消失，(200)平面摻雜Co2+后，CCS O2分子出現，(110)平面摻雜Co2+后，CCS H2O分子出現。

摻雜三個晶面后，電導率降低。氧分子的CCS對電導率有**影響。

水分子的CCS對電導率無明顯影響。CCS的O2分子覆蓋率對電導率的影響:摻雜Co2+前CCS的電導率與CCS的覆蓋率成正比，摻雜Co2+后CCS的電導率與CCS的覆蓋率成反比。

光電流譜擬合數據與實驗數據的規律一致，說明通過晶體平面Co2+摻雜可以調節材料對特征吸附O2的化學吸附和材料的電導率。

對調節和利用材料平面的吸氧特性起到了指導作用。

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