Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)薄膜是通過非真空旋涂工藝，然后在450?°C至575?°C的溫度下硒化，在鉬涂層的柔性不銹鋼襯底上制備的。

研究了硒化溫度和鐵離子濃度對CIGS太陽能電池光電性能的影響。所有的x射線衍射(XRD)譜圖與CIGS相相匹配。隨著硒化溫度的升高，未摻雜CIGS薄膜的衍射峰強度增大。

但隨著硒化溫度的升高，鐵離子摻雜CIGS薄膜的XRD峰強度降低，這是由于鐵離子摻雜后CIGS薄膜的熱穩定性下降所致。隨著硒化溫度的升高，CIGS薄膜中顆粒尺寸增大，薄膜表面呈扁平狀致密化。

在450?°C條件下制備的CIGS太陽能電池的Voc、Jsc和填充系數分別為0.401?V、21.84?mA/cm2和41.12%。這些參數隨著硒化溫度的升高而增強，這是由于CIGS結晶度的提高和微觀結構的致密化。

但鐵離子摻雜會在高溫下擴散到吸收層中，導致光電性能惡化。研究表明，鐵離子摻雜對CIGS太陽能電池的光電性能和微結構產生了不利影響。

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