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光電材料|引入二維過(guò)渡金屬M(fèi)o和光電元件Ga對(duì)硫族基ZnS/Se微特性的影響
由于硫系材料光電性質(zhì)固定,制備工藝復(fù)雜,增加其應(yīng)用范圍面臨挑戰(zhàn)。為了解決這一問(wèn)題,需要研究不同摻雜比例的塊體陶瓷。
研究了鉬氧化物、鉬氧化物和鎵氧化物的摻雜比例對(duì)塊體陶瓷的組成、結(jié)構(gòu)、形貌和發(fā)光性能的影響,通過(guò)質(zhì)量損失和體積收縮分析確定了該范圍內(nèi)的**摻雜比例。x射線衍射結(jié)果證實(shí)了該晶體的立方晶結(jié)構(gòu)。
結(jié)果表明,通過(guò)拉曼光譜分析,鉬被成功地?fù)诫s到基體材料中。利用x射線熒光技術(shù)研究了燒結(jié)前后塊體陶瓷的組成比變化。建立了不同濃度Mo-ZnSe /ZnS的分子結(jié)構(gòu)模型。
x射線光電子能譜顯示了Zn 2p和s2p的自旋軌道,以及Mo和Ga的+3價(jià)態(tài)。光學(xué)性能得到了提高,發(fā)光波段擴(kuò)大到近紅外區(qū)域。
研究結(jié)果表明,該化合物具有較好的微觀結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能和電學(xué)性能。
本研究可為硫系材料的摻雜和新型光電器件的研究提供理論和實(shí)驗(yàn)參考。
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