蒸發(fā)、濺射和分子束外延等方法制備薄膜的過程多是成核、生長的過程。當襯底表面只吸附少量生長物原子時，這些原子是不穩(wěn)定的,很容易掙脫襯底原子的吸引，離開襯底表面。只有沉積在基片上的原子在表面擴散過程中相遇并結合成原子團，然后這些原子團不斷吸收新的原子加入而逐漸長人形成品核。由統(tǒng)計物理可以計算出臨界晶核有時只需兒個原子即可組成。這些臨界品核再吸收一個原子就可以穩(wěn)定下來并不斷長大。利用透射電鏡已觀察到尺寸小到1nm 的穩(wěn)定品核。

穩(wěn)定品核數(shù)目不斷增多后,晶粒之間的原子只需擴散一個短距離就可合并到晶核上去而不易形成新的品核，此時穩(wěn)定晶核（有些已長大）數(shù)達到**伯。繼續(xù)沉積使晶核不斷長大成小島，小島相遇后發(fā)生合并，形成大島;當沉積到一定的時間后，小島已經(jīng)人體相連只留下小量溝狀的空白區(qū)。繼續(xù)沉積的結果是原子會填補空白區(qū)使薄膜連成一片,形成完整的膜。在清潔的晶體襯底上薄膜生長的機制可分為三種:三維生長、二維生長和單層二維生長后三維生長，它們的示意圖見圖1。生長的模式依賴于許多因素，如襯底與生長原子相互作用,晶格匹配，溫度、生長速度等工藝條件，等等。

供應產(chǎn)品目錄：

錳鉍稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化鎢固體潤滑薄膜

二硫化錸(ReS2)薄膜

二維二硫化鎢薄膜

二碲化鈦(TiTe2)過渡金屬二硫化物薄膜

二維碲化鉑納米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe復合薄膜

大尺寸單層硒分區(qū)摻雜二硫化鎢薄膜

銅銦鎵硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出層的柔性氣密性薄膜

鋯鈦酸鉛(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,簡寫為PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

強誘電體/高取向度PZT鐵電薄膜

Bi2-xSbxTe3基熱電薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4納米復合薄膜

多鐵性磁電復合薄膜

聚酰亞胺/納米Al2O3復合薄膜

金剛石薄膜

直流磁控濺射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔陣列碳納米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

摻錫TiO2復合薄膜

TiO2-SiO2超親水性薄膜

金屬離子摻雜的TiO2薄膜

納米碳纖維膜/鈷酸鋰三維同軸復合膜

含氫類金剛石薄膜

納米結晶金剛石碳膜

三明治結構透明導電薄膜

三維納米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳納米纖維柔性薄膜

石墨烯基透明導電薄膜

球殼狀連續(xù)異質結構的3D納米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈納米纖維薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三維多孔碳膜

二維氮化硼納米薄膜

高性能鈉離子薄膜

多孔石墨烯/碳納米管復合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化錳復合薄膜

各向異性導電高分子復合薄膜

碳氮化物薄膜

微納結構薄膜

三維階層多孔金膜

大內(nèi)徑碳納米管陣列薄膜

金納米顆粒-碳復合材料催化劑薄膜

yyp2021.3.31