銀酸鋰憶阻薄膜的制備分為兩個主要部分，一個是通過離子注入剝離技術從單晶塊材中剝離出一定厚度的片酸鋰單晶薄膜,并采用BCB膠將其鍵合到襯底上，具體的實施分為四個主要的步驟如下圖1所示,另一個是利用氬離子輻照的方式對薄膜進行處理，通過引入氧空位的方式使薄膜具有憶阻特性。因此這兩個部分主要用到高能離子注入技術和低能離子輻照技術。

供應產品目錄：

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Sb2Te3薄膜

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錳鉍稀土(MnBiRE)磁光薄膜

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二硫化鎢固體潤滑薄膜

二硫化錸(ReS2)薄膜

二維二硫化鎢薄膜

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CIGSeS/CIGSe復合薄膜

大尺寸單層硒分區摻雜二硫化鎢薄膜

銅銦鎵硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出層的柔性氣密性薄膜

鋯鈦酸鉛(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,簡寫為PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

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強誘電體/高取向度PZT鐵電薄膜

Bi2-xSbxTe3基熱電薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4納米復合薄膜

多鐵性磁電復合薄膜

聚酰亞胺/納米Al2O3復合薄膜

金剛石薄膜

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超疏水多孔陣列碳納米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

摻錫TiO2復合薄膜

TiO2-SiO2超親水性薄膜

yyp2021.3.31