Si片外延AIN薄膜
Si片外延AlN膜是通過HVPE方法生長，其實驗襯底效果已日漸取代AlN單晶基片
| 貨號 | 規格 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|
| Q-0049523 | 100mg |
1
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詢價 |
| Q-0049523 | 250mg |
1
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詢價 |
| Q-0049523 | 500mg |
1
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詢價 |
| Q-0049523 | 1g |
1
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詢價 |
| Q-0049523 | 5g |
1
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詢價 |
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張惠寧銷售經理
17778955912
1521565887
業務范圍：AIE材料 | 熒光產品 | MOF產品 | 二維納米 | 糖化學 | 凝集素 | PEG
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AlN厚度：200nm ±10%, 單面鍍膜
正面：<2nm RMS, as-grown
背面：silicon as received
AlN晶向：(00.2)
宏缺陷密度：<10/cm^2
薄膜襯底：Si [111] N type, dia 4" x0.5 mm, res: 1~10 ohm-cm, 單拋
常規尺寸：dia 4" x0.5 mm,單拋
| 參數信息 | |
|---|---|
| 外觀狀態： | 固體或粉末 |
| 質量指標： | 95%+ |
| 溶解條件： | 有機溶劑/水 |
| CAS號： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 儲存條件： | -20℃避光保存 |
| 儲存時間： | 1年 |
| 運輸條件： | 室溫2周 |
| 生產廠家： | 西安齊岳生物科技有限公司 |
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