超硫化是合成季硫族化合物不可缺少的工藝嗎?對于大多數**過多硫空位的合成方法來說，答案可能是肯定的。脈沖激光沉積(PLD)是一種公認的制備復雜化學計量學薄膜的技術，是制備Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜的一種很好的替代方法。

然而，為了防止蒸發損失，沉積溫度(Tis)必須限制在400°C以下，這使得后退火工藝對改善亞穩態膜極為必要。在此，我們開發了一種室溫(RT)- pld -合成CZTS薄膜的原位熱處理技術，以避免額外的硫化過程。

根據多峰高斯擬合分析，RT-PLD實施優化的原位處理可以拓寬CZTS薄膜的太陽吸收，這可能是由于I2-II-IV-VI4硫族化合物固有的天然中帶效應所導致的子帶隙吸收。

穩定時安培表征與準化學計量比相結合，證明RT-PLD技術即使不硫化也能等效地**硫空位的產生。原位處理過程中多晶CZTS有序-無序轉變的物理機制可以解釋隨Tis變化而發生的形態“塊-光滑-孔洞”轉變。

因此，所提出的RT-PLD技術適用于制備具有揮發性元素和復雜化學計量比的多元化合物。

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