無機(jī)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)由于其界面現(xiàn)象而引起了廣泛的技術(shù)應(yīng)用關(guān)注。

采用傳統(tǒng)的熔體淬火方法，合成了具有相似禁帶寬度的原位合成Sb2Se3/NaSbSe2異質(zhì)結(jié)的硒化復(fù)合材料。

研究了不同NaSbSe2含量下復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)和光電性能。

研究表明，NaSbSe2含量通過改變異質(zhì)結(jié)尺寸和晶界電阻直接影響復(fù)合材料的光電性能，掃描電子顯微鏡和阻抗譜分別證明了這一點(diǎn)。

在-1.5 V的偏置電壓和7 mW/cm2的照明下，2.5 mol% NaSbSe2和5 mol% NaSbSe2的Sb2Se3光電流密度比純Sb2Se3大約180倍，這是由于光生載流子通過界面電場(chǎng)的**分離。

此外，復(fù)合材料在0.5 M LiClO4水溶液中也表現(xiàn)出**的穩(wěn)定性。

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