構(gòu)建了光電材料g-ZnO/α-CNH van der Waals （vdW）異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

基于**性原理計算，研究了光電材料g-ZnO/α-CNH異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電子和光學(xué)性質(zhì)。

該異質(zhì)結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)ii型能帶排列，在Γ點有方向帶隙（1.75 eV），有利于電子空穴對的**分離，延長載流子的壽命。

此外，光電材料g-ZnO/α-CNH異質(zhì)結(jié)界面處存在明顯的電荷轉(zhuǎn)移，打破了α-CNH的各向異性，進一步提高了可見光范圍內(nèi)的光學(xué)吸收。zno /α-CNH異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有合適的直接帶隙、界面上明顯的電荷轉(zhuǎn)移和無毒元素，表明其異質(zhì)結(jié)構(gòu)在可再生能源和光電器件中具有潛在的環(huán)保應(yīng)用前景。

我們的工作也從電荷分布的角度解決了異質(zhì)結(jié)的各向異性或各向同性問題，

并表明打破材料的各向異性可以改善材料的光電性能。該工作為光電器件的設(shè)計提供了有價值的參考。

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