用Cu（OH）2納米線陣列合成了高定向Cu- MOF金屬框架薄膜。

**通過優(yōu)化反應物濃度合成了高縱橫比的Cu（OH）2納米線，然后在重力輔助下通過流體輔助技術在ITO襯底上沉積和排列。

以Cu（OH）2納米線陣列為模板，在室溫下通過置換反應合成了Cu- mof薄膜。

通過優(yōu)化流體輔助技術的次數(shù)和流速，獲得了厚度在0.9 μm以上、粗糙度在84.73 nm以下的Cu-MOF金屬框架薄膜。

（00l）方向的晶體擇優(yōu)取向指數(shù)（CPO）表明，薄膜具有較強的c軸取向。

此外，定向Cu-MOF金屬框架薄膜中排列的DMASP染料的熒光光譜顯示偏振比約為2.83。

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