產(chǎn)品分類
卟啉 | 酞菁 |MOF金屬有機(jī)框架|三維過渡金屬卟啉功能化石墨烯的量子電容增強(qiáng)
研究了過渡金屬原子修飾缺陷石墨烯與原始石墨烯相比增強(qiáng)量子電容的適用性。
基于密度泛函理論的計(jì)算結(jié)果發(fā)現(xiàn),Mn、Fe、Co和Ni傾向于平面內(nèi)構(gòu)型,而Sc、Ti、V和Cr傾向于功能化石墨烯的平面外構(gòu)型。
預(yù)測卟啉功能化石墨烯的量子電容**增加,峰值為149μF/cm2。
過渡金屬原子的修飾導(dǎo)致除Sc和Fe外的量子電容降低,我們預(yù)測Sc和Fe的電容分別為177μF/cm2和220μF/cm2。
結(jié)果表明,金屬修飾功能化石墨烯在費(fèi)米能級附近的三維態(tài)的局域化程度基本上控制了其量子電容的大小。
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