結合元素分析和1H-NMR的結構分析表明，溶劑萃取技術成功地得到了不同大小的芳香體系的餾分。

從提取的碳質材料的吸收光譜中計算出的光學帶隙與芳香分子大小有很強的相關性。

采用吡啶溶液旋涂技術制備了材料與n型硅之間的結。

在紅外光(λ = 940 nm)下進行光電流測量。

以下結果:

(1)光電流取決于提取碳質膜的厚度n-Si襯底,

(2)連接的更緊密的光學帶隙能量的光子能量顯示大的光電流,

(3)沒有發現光電流的連接由硅端氫氟酸。

光載流子的產生發生在薄膜和n-Si襯底之間的界面附近。

碳質薄膜/氧化物/n-Si對這些結的光響應至關重要。

溶劑萃取技術是制備具有合適電子性能的碳基材料的一種很有前途的方法。

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