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光電材料|UDP 糖| 卟啉 |利用飛秒激光和二次濺射技術(shù)在ITO薄膜上制備了具有良好光電性能的納米結(jié)構(gòu)
發(fā)布時(shí)間:2022-01-24     作者:光電材料   分享到:

在半導(dǎo)體薄膜上制備均勻、完整的納米結(jié)構(gòu)是緩解半導(dǎo)體薄膜中常見的諸多電子缺陷的必要工藝。

本研究采用激光直接照射和二次濺射的方法在ITO薄膜上制備了具有良好光電性能的納米結(jié)構(gòu)。

采用基于脈沖再生放大技術(shù)的Nd:YLF飛秒激光系統(tǒng),波長(zhǎng)為800 nm,重復(fù)頻率為1 kHz。

研究了不同掃描速度和激光誘導(dǎo)的周期性表面結(jié)構(gòu)。在1.86 J cm?2、掃描速度1.1 mm s?1、掃描間距4.5 μm、聚焦激光光斑18.5 μm的條件下,獲得了大面積、均勻且損傷較小的納米結(jié)構(gòu)。

透光率提高21%,片材電阻提高10倍以上。

通過二次濺射對(duì)一定厚度的ITO薄膜進(jìn)行濺射以提高其導(dǎo)電性,并且可以**控制納米結(jié)構(gòu)的高度。

在**納米結(jié)構(gòu)高度為90 nm時(shí),與未處理的ITO薄膜表面相比,薄膜的透光率提高了19%,片狀電阻減小到1.6倍以下。

這種制備納米結(jié)構(gòu)的方法無需復(fù)雜的加工過程和昂貴的成本,可大大提高光電性能,具有廣泛的工業(yè)應(yīng)用前景。

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