寬頻帶隙(WBG)半導體與柔性電子器件的集成有望大大提高器件性能，遠遠超出傳統器件的限制。

然而，如何在WBG半導體中獲得強健的柔韌性和單晶性是一個挑戰。

我們制作了一個獨立的AlN薄膜，它可以轉移到任何基體上。

基于這一結果，我們進一步研究了AlN的柔韌性以及應變誘導性能。

彎曲應變能**地將AlN薄膜的帶隙從6.2 eV減小到4.8 eV，但多次彎曲-不彎曲循環后均未見明顯的斷裂效應。

此外，還以柔性紫外探測器為平臺，探討了彎曲應力的影響。

與對照樣品相比，在0.5 cm彎曲半徑處，該光電探測器的響應率提高了161%，上升時間響應加快了31%。

這種性能的提高可能源于帶隙的調制或壓電光電子效應，這影響了載流子在光電子過程中的遷移。

我們的工作為研究WBG半導體和器件中柔性和應變調制特性之間的耦合效應提供了一個有前途的方法。

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