采用水熱法制備了CdSSe/石墨烯量子點(CdSSe/GQDs)復合材料。

通過各種物理和化學分析對其結構、形貌和材料性能進行了研究。

根據(jù)x射線光電子能譜分析結果，將GQDs復合成復合材料。

此外，傅里葉變換紅外測試結果表明，復合材料中含有C-O-C和c雙鍵dc官能團。

得到的CdSSe/GQDs復合材料的光電性能優(yōu)于純CdSSe半導體。

GQDs含量對CdSSe/GQDs復合材料的光電流密度和電荷轉移電阻有很大的影響。

當GQDs含量增加到0.15 wt%時，光電流響應達到1.31 × 10?5 A/cm2，是CdSSe的3倍。

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