光電材料|CsPbBr3量子點嵌入聚甲基丙烯酸甲酯作為電荷捕獲層的非易失性光電存儲器
非揮發性有機場效應晶體管(OFET)光電材料存儲器由于其特殊的光電存儲機制和應用領域。
圖像捕獲和光信息存儲等,引起了人們的廣泛關注。
遺憾的是,傳統的浮閘和隧道層兩步制備方法復雜,不利于大面積制備。
一種鈣鈦礦量子點(QDs)嵌入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作為電荷捕獲層的非易失性OFET光電材料存儲器。
在光或光電編程操作和電擦除操作期間,光電存儲器能**地積累和釋放光產生的載流子。
采用浮動柵和隧道層兩步法制備的光電存儲器的存儲特性可與傳統存儲器相媲美。
此外,該記憶裝置在暴露于空氣中兩周后仍具有良好的保留時間和耐久性能。
因此,采用量子點/PMMA復合光電材料作為電荷捕獲層的存儲器在光電器件中顯示出巨大的應用潛力。
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