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光電材料|光電性能可調(diào)的(In1-xAlx)2O3薄膜的沉積與表征
發(fā)布時間:2021-12-22     作者:光電材料   分享到:

采用金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)在SiO2(110)襯底上制備了光電性能可調(diào)的光電材料三元(In1-xAlx)2O3 (IAO)薄膜。

研究了不同In-Al含量x [Al/(In+Al)原子比]對光電材料IAO薄膜結(jié)構(gòu)、形貌和光電性能的影響。

XRD分析表明,隨著In含量的降低,薄膜由**的立方In2O3結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷唷?/span>

所有光電材料IAO薄膜均表現(xiàn)出**的光學(xué)性能,在可見范圍內(nèi)的平均透射率均超過84%。

當x值為0 ~ 0.9時,薄膜的光學(xué)帶隙可從3.71 eV調(diào)制到5.29 eV。隨著In含量的降低,霍爾遷移率和載流子濃度下降,電阻率增加。

結(jié)果表明,通過改變in - al組分,可以**地調(diào)節(jié)IAO薄膜的性能,從而可應(yīng)用于短波長光電器件的制備。


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