二維過(guò)渡金屬二鹵族化合物（2D TMDCs）因其獨(dú)特的性質(zhì)被認(rèn)為是下一代納米電子和光電材料。

然而，報(bào)道的二維TMDCs的光電性能差異很大，導(dǎo)致光電性能變化的原因尚不清楚。

本文研究了基于cvd生長(zhǎng)的WS2光電探測(cè)器光電性能變化的機(jī)理。

結(jié)果表明，采用CVD法可以在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)尺寸為100μm的三角形單層WS2。

此外，單層WS2可以通過(guò)聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚二甲基硅氧烷（PDMS）作為中間體從藍(lán)寶石襯底轉(zhuǎn)移到Si/SiO2襯底上。

氧摻雜和硫化對(duì)cvd生長(zhǎng)的WS2的光響應(yīng)性有**影響。

cvd生長(zhǎng)的2D WS2的光響應(yīng)性不僅取決于氧摻雜濃度，還取決于光波長(zhǎng)。

在本實(shí)驗(yàn)條件下，由cvd培養(yǎng)的WS2含有氧氣。

硫化可以使cvd生長(zhǎng)的WS2的摻雜氧濃度降低，而摻雜氧可以使其增加。

報(bào)道的基于cvd生長(zhǎng)的WS2的光電探測(cè)器光電性能的差異是由摻雜濃度的差異造成的。

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