近紅外二區二硒化銅銦（CuInSe2）量子點作為一種半導體納米材料也因其獨特的性能而受到廣大研究者的關注。I-III-VI 族量子點具有低毒性、窄的帶隙、自吸收小、光吸收系數大、發光波長可調且范圍大等優點在光催化產氫、降解有機污染物和重金屬的移除、太陽能電池、發光二極管和生物標記成像等方面被廣泛應用。銅銦硒(CuInSe2)量子點帶隙為1.04 eV，激子玻爾半徑達到10.6 nm，光吸收邊緣達到近紅外區域。因此，以CuInSe2（CISe）量子點為基礎構造復合材料并對其改性研究進行光催化產氫和有機污染物的降解具有重要的研究價值。

近紅外二區二硒化銅銦（CuInSe2）量子點制備方法：

(1) CISe量子點的制備及其摻雜改性研究：采用熱注射方法合成出大小均一的油相 CISe 量子點。通過改變反應時間，得到發射波長可調的CISe 量子點，討論了其形成機理；其次對CISe量子點進行了摻雜Zn和Ga元素的研究，改變反應時間得到多個發射波長的ZnCuInSe（ZCISe）和 CuInGaSe（CIGSe）量子點，隨后采用表面配體交換的方式，對 ZCISe 量子點進行相轉移，使其由親油性轉變為親水性的量子點，通過改變谷胱甘肽和巰基丙酸的配比，得到具有較好穩定性和光化學性能的水相ZCISe量子點。最后利用透射電子顯微鏡（TEM）、多晶 X 射線衍射儀（XRD）、穩態瞬態熒光光譜儀、紫外-可見分光光度計和熒光光譜儀等儀器對不同條件下制備的各種量子點進行表征測試。　　

(2) CISe/TiO2納米線復合電極的制備及其光電性能研究：以純鈦片為基底，采用水熱法制備TiO2納米線，隨后使用浸泡法對納米線進行CISe量子點的修飾，通過改變浸泡的時間，確定 CISe **負載量。所得到的** CISe/TiO2納米線復合電極進行掃描電子顯微鏡的表征和光電性能測試，發現 TiO2納米線表面有大量的小顆粒負載，對該材料進行元素分析，發現該顆粒為CISe量子點，同時復合電極擁有的電流密度比單純的納米線大約強10倍，在不加電壓，模擬太陽光照射的條件下對20 mg/L的甲基橙進行光降解測試，100 min內，降解效率達到了80%。　　

(3) CdS/ZCISe/Ag/TiO2復合電極的制備及其裂解水研究：從光轉換效率和產氫的角度出發，構造CdS/ZCISe/Ag/TiO2復合電極。分別采用光沉積法、懸滴法和連續離子層吸附法進行 Ag 納米顆粒、ZCISe 和 CdS 量子點的負載，鈍化了ZCISe 量子點的表面缺陷，拓展了 TiO2納米線的光吸收范圍，提升了光電流密度。隨后在模擬太陽光的照射下，采用三電極體系，以復合電極作為工作電極進行光解水測試，達到了平均1.17 mL/h的產氫速率。

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