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SIC納米線 碳化硅納米線 SiC晶須 直徑D 100-500nm,長度50-100um,純度99+,灰綠色
發(fā)布時間:2021-05-25     作者:zhn   分享到:

SIC納米線 碳化硅納米線 SiC晶須 直徑D 100-500nm,長度50-100um,純度99+,灰綠色

SiC納米線(SiC nanowires)介紹

SiC納米線(SiC nanowires)又稱為SiC晶須(SiC whiskers)或者SiC短纖維(SiC fiber),具有超高強度、硬度的納米一維材料,可增強改性陶瓷基、金屬基、樹脂基復合材料。在半導體、電子器件領域也有廣泛應用。

本公司提供高品質(zhì)、高純度SiC納米線、SiC晶須。質(zhì)量保證,


1.碳化硅納米線物理特性:

為立方晶型,和金剛石同屬一種晶型,是一種高強度胡須狀的一維單晶體,具有高強,高模等諸多優(yōu)良的機械性能。是較好的增強增韌材料之一。


2.碳化硅納米線化學特性

抗磨,耐高溫,特別耐熱震,耐腐蝕,耐輻射。


碳化硅納米線的主要應用方向

詳情介紹

SIC納米線/陶瓷基復合材料

SIC/TIC/WC/ALN/SI3N4/TIN/AL2O3/ZRO2/ZRB2

SIC納米線/金屬基復合材料

AL/TI/NI

SIC納米線/高分子聚合物基復合材料

尼龍/樹脂/橡膠/塑料等

 

近年來的市場反饋表明:微米級SiC碳化硅晶須做為增強陶瓷基、金屬基和聚合物基復合材料,這些復合材料均表現(xiàn)出良好的機械性能,可以想象用強度硬度更高及長徑比更大的SiC一維納米材料碳化硅納米線作為復合材料的增強相,將會使其性能得到進一步增強。SiC一維納米材料具有 閾值場強低,電流密度大,高溫穩(wěn)定性好等**特點,可望作為電場發(fā)射材料,利用這一特性可制成第三代新型電子光源,并將在圖像顯示技術(shù)方面發(fā)揮巨大作用。隨著研究的深入,還發(fā)現(xiàn)一維SiC納米線在儲氫、光催化和傳感等領域都有廣泛的應用前景。

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以上資料來自西安齊岳生物小編zhn2021.05.25

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