一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機臺內完成濺射過程，機臺內部為高電壓、高真空環境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導電、導熱性能。
在濺射靶材應用領域中，半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了**苛刻的標準，高純度乃至超高純度的金屬材料是生產高純濺射靶材的基礎，以半導體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質含量過高，則形成的薄膜無法達到使用所要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導致電路短路或損壞，嚴重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，**限度地去除雜質，需要將化學提純和物理提純結合使用。在將金屬提純到相當高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個過程中，需要經過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮氣等多余氣體；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結合并均勻分布；最后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產加工過程中對金屬成份、尺寸大小的要求。
相較于半導體芯片，平面顯示器、太陽能電池對于濺射靶材的純度和技術要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對濺射靶材的焊接結合率、平整度等指標提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機臺內完成濺射過程，濺射機臺專用性強，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設定了諸多限制。超高純金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產業鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環節，其中，靶材制造和濺射鍍膜環節是整個濺射靶材產業鏈中的關鍵環節。
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