連續梯度帶隙單晶鈣鈦礦薄膜厚度約600nm到100μm
鈣鈦礦單晶器件生長和制造的方法—溶液光刻輔助外延生長和轉移策略，用于任意襯底上制備單晶雜化鈣鈦礦薄膜，同時并控制其厚度（從約600nm到100μm），面積（較大約5.5cm×5.5cm），以及厚度方向上的組成成分梯度（從MAPbI3到MAPb0.5Sn0.5I3）。
梯度單晶鈣鈦礦
該器件表現出了厚度依賴的機械柔性，通過鉛錫梯度合金形成梯度電子帶隙，提升了載流子遷移率并降低了載流子復合率。不僅表現出對濕、熱等降解因素的高穩定性，而且還具有優良的能源轉化效率（基于鉛-錫-梯度結構的太陽能電池平均效率為18.77％）。
近年來，鈣鈦礦材料一直是備受各界關注的一類半導體材料，其獨特的晶體結構，載流子擴散遷移特征，在光電催化、能源傳感等等諸多領域表現出了卓越的物理化學特性。這使得鈣鈦礦材料在例如太陽能電池、光纖通信、LED等應用領域占有**重要的地位，有望成為未來光電子器件的核心組成部分。
當前，有機-無機雜化鈣鈦礦由于其獨有的電子和光學特性，如高吸收系數、長載流子擴散長度、帶隙可調等。使得其在許多器件應用特別是柔性可拉伸器件中極具發展潛力。由于單晶的取向性與遷移行為和較低的缺陷濃度的依賴性，使得單晶雜化鈣鈦礦比多晶相具有更好的載流子輸運行為和更高的穩定性。
然而，目前現有的許多方法多集中在多晶鈣鈦礦材料的研究上，在單晶雜化鈣鈦礦半導體器件的半導體制造工藝中實現制造厚度、形態面積和組成成分的同時控制上這一難題**具有挑戰性。
鈣鈦礦材料供應：
復合鈣鈦礦材料鈦酸鉍鈉-Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)
不同鐵摻雜水平的BaTi_(1-Z)Fe_ZO_3與Tb_(1-x)Dy_xFe_(2-y)層狀復合材料
Ta~(5+)摻雜的K_(2-x)La_2Ti_(3-x)Ta_xO_(10)(x=0.1-1.0)
米鈦酸鍶(SrTiO_3)和離子液體(ILs)復合修飾玻碳電極
上述產品僅用于科研，不可用于人體實驗！
wyf 01.06
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